Indeks : 510062
Tranzystor; bipolarny; BC238B; NPN; 0,1A; 20V; 300mW; 150MHz; TO92; Raster 1,27mm; przewlekany (THT); LGE; luzem; RoHS
Indeks : 510282
Tranzystor; unipolarny; IRFP450; N-MOSFET; 14A; 500V; 190W; 0,4Ohm; TO247AD (TO3P); przewlekany (THT); Vishay Siliconix; RoHS
Indeks : 510279
Tranzystor; bipolarny; TIP42C; PNP; 6A; 100V; 90W; 3MHz; TO220; przewlekany (THT); ST Microelectronics; RoHS
Indeks : GT35J321
Obudowa: TO-3P Napięcie: 600 V Moc: 75 W Prąd: 37 A Częstotliwość: 4 MHz Polaryzacja: n-channel Technologia wykonania: IGBT Numer oryginalny: GT35J321 Nazwa produktu: Tranzystor
Indeks : 510103
Tranzystor; bipolarny; 2SD882; NPN; 3A; 40V; 10W; 90MHz; TO126; przewlekany (THT); ST Microelectronics; RoHS
Indeks : IRFU9024
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; HEXFET; -55V; -11A; 38W; IPAK
Indeks : 510051
Tranzystor; bipolarny; MJE13009 KSE13009H1TU; NPN; 12A; 400V; 100W; 4MHz; TO220; przewlekany (THT); Fairchild Semiconductor; RoHS
Indeks : 510229
Tranzystor; bipolarny; MPSA42; NPN; 0,5A; 300V; 620mW; 50MHz; TO92; przewlekany (THT); Fairchild Semiconductor; RoHS
Indeks : 510283
Tranzystor; unipolarny; IRFB3306; N-MOSFET; 120A; 60V; 230W; 0,0042Ohm; TO220; przewlekany (THT); HEXFET; Infineon; RoHS
Indeks : 510302
Nazwa: Tranzystor Symbol: IHW30N120R5 Typ tranzystora: IGBT Prąd kolektora: 30A Moc: 312W Napięcie kolektor-emiter: 1600V Obudowa: TO247 Montaż: THT przewlekany Producent: INFINEON Certyfikaty: RoHS
Indeks : 510093
Tranzystor; bipolarny; BC307; PNP; 0,1A; 50V; 300mW; 100MHz; TO92; przewlekany (THT); LGE; luzem; RoHS
