Tranzystor BFP521 npn 30V 0,05A 0,3W TO18

Indeks : BF970

TRANZYSTOR BF970

Indeks : IRG4BC30KPBF

Tranzystor IRG4BC30KPBF IGBT 600V 28A 100W TO220AB

Indeks : BU508AF

Tranzystor BU508AF izolowany npn 700V 8A 125W TO247AD

Indeks : 510119

Tranzystor IRF5210 9-MOSFET 100V 40A 100W TO220

Tranzystor; unipolarny; IRF5210; P-MOSFET; 40A; 100V; 200W; 60mOhm; TO220; przewlekany (THT); International Rectifier; RoHS

Indeks : 2N5886

Tranzystor 2N5886 TO-3 npn 80V 25A 200W

Indeks : 510013

Tranzystor STP75NF75 N-MOSFET 75V 75A 160W nieizolowany TO220

Tranzystor unipolarny STP75NF75; N-MOSFET; 75A; 75V; 160W; 10mOhm; TO220; przewlekany (THT); ST Microelectronics; RoHS

Indeks : 130004

Tranzystor 30F126 IGBT 300V 200A TO220F izolowany / GT30F126

Tranzystor IGBT 30F126 GT TO-220F (PTH) 330V 200A - Izolowany

Indeks : 510064

Tranzystor MJF18008 npn 1000V 8A 125W izolowany TO220F

NPN Power Transistor MJF18008 1000V 8A 125W TO220F

Indeks : BUH516

Tranzystor BUH516 npn 1700V 8A 60W TO3P

Indeks : 130007

Tranzystor RJP020N06T100 smd SOT89

Tranzystor; RJP020N06T100; SOT89; powierzchniowy (SMD); Rohm Semiconductor; RoHS

Indeks : 510270

Tranzystor 2SC1027 npn 250V 6A 50W TO92

Typ: 2SC1027 Obudowa: TO-92 Napięcie: 250 V Moc: 50 W Prąd: 6 A Polaryzacja: NPN Numer oryginalny: KEC Nazwa produktu: Tranzystor

Indeks : 2SK727

Tranzystor 2SK727 N-MOSFET 900V 5A 125W TO3P

Indeks : 510245

Tranzystor BC817 smd NPN 50V 500mA 600mW SOT23

Tranzystor; bipolarny; BC817-40; NPN; 0,5A; 50V; 250mW; 100MHz; SOT23; powierzchniowy (SMD); RoHS

Indeks : MUN2212

TRANZYSTOR SMD MUN2212 SOT23

Indeks : 2N4427

Tranzystor 2N4427 NPN 40V 0,4A w.cz TO39

Typ obudowy: TO-39

Indeks : 2SC3807

Tranzystor 2SC3807 npn 25V 2A 15W TO126

Tranzystor 2SC3807

Indeks : 510159

Tranzystor BC337 npn 0,8A 50V 0,625W obudowa TO92

Tranzystor: NPN; bipolarny; 45V; 800mA; 625mW; TO92

Indeks : 510309

Tranzystor BC558 pnp 30V 0,1A 0,5W 150Mhz obudowa TO92

Tranzystor: PNP; bipolarny; 30V; 100mA; 500mW; TO92

Indeks : 510348

Tranzystor mocy FQB47P06TM MOSFET P-kanał 60V 47A 0.026 ohm 160W TO-263 D2PAK SMD

Dane techniczne Atrybut Parametr Typ kanału P Maksymalny ciągły prąd drenu 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło 60 V Typ opakowania TO-220AB Typ montażu Otwór przezierny Liczba styków 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło 26 mΩ Tryb kanałowy Rozszerzenie Minimalne napięcie progowe VGS 2V Maksymalna strata mocy 160 W...

Indeks : 510059

Tranzystor STP120NF10 N-MOSFET 100V 110A 312W TO220

Tranzystor; unipolarny; STP120NF10; N-MOSFET; 110A; 100V; 312W; 9mOhm; TO220; przewlekany (THT);