• Obecnie brak na stanie

Tranzystor GT50N322 IGBT obudowa TO-247

GT50N322

30,00 zł
Brutto
Ilość
Obecnie brak na stanie

help_outlineZapytaj o produkt
Tranzystor GT50N322 IGBT obudowa TO-247

Tranzystor GT50N322 IGBT obudowa TO-247

Akceptuję zasady polityki prywatności  

Opis

Szczegóły Produktu
GT50N322
20 innych produktów w tej samej kategorii:

Indeks : 510314

Tranzystor FGH60N60SMD IGBT 600V 120A 600W TO-247 / 35750

Tranzystor; IGBT Kanał N; FGH60N60SMD; 120A; 600V; 600W; TO247; przewlekany (THT); ON Semiconductor; RoHS Dane szczegółowe  Nazwa Tranzystor Typ tranzystora IGBT Kanał N Symbol FGH60N60SMD Prąd kolektora 120A Napięcie kolektor-emiter 600V Moc 600W Obudowa TO247 Właściwości półprzewodników nie dotyczy Montaż przewlekany (THT)...

Cena 49,00 zł
Więcej
Dostępny

Indeks : BU626A

Tranzystor BU626A npn 1000V 10A 100W TO3

Typ obudowy: TO-3 Producent / Marka: Inchange Semiconductor Polaryzacja: NPN Typ złącza: Przewlekany ROHS: tak     Napięcie zasilania (Vcb): 1 kV Napięcie (Vce): 400 V Napięcie pracy max: 400 V Moc: 100 W Max. prąd: 10 A     Max. temperatura: 175 °C

Cena 9,00 zł
Więcej
Obecnie brak na stanie

Indeks : BUT56A

Tranzystor BUT56 npn 450V 8A 100W TO220

Typ obudowy: TO-220AB Producent / Marka: WS Polaryzacja: NPN Typ złącza: Przewlekany ROHS: tak     Częstotliwość: 10 MHz Napięcie zasilania (Vcb): 1 kV Napięcie (Vce): 450 V Napięcie pracy max: 450 V Typ napięcia: +     Moc: 100 W Max. prąd: 8 A Max. temperatura: 150 °C

Cena 3,50 zł
Więcej
Obecnie brak na stanie

Indeks : 510143

Tranzystor AO3407A P-MOSFET -30V - 4,3A 1,4W smd SOT23 / 36160

Tranzystor; unipolarny; AO3407A; P-MOSFET; -4,3A; -30V; 1,4W; 48mOhm; SOT23; powierzchniowy (SMD); Alpha & Omega Semiconductor; RoHS Dane szczegółowe  Nazwa Tranzystor Typ tranzystora unipolarny Symbol AO3407A Kierunek przewodnictwa P-MOSFET Prąd drenu -4,3A Napięcie dren-źródło -30V Moc 1,4W Rezystancja w stanie przewodzenia...

Cena 5,01 zł
Więcej
Obecnie brak na stanie

Śledź nas na Facebooku