| N-MOSFET | ||
| unipolarny | ||
| 250V | ||
| 24A | ||
| 280W | ||
| TO247AC | ||
| ±20V | ||
| 750mΩ | ||
| THT | ||
| 210nC | ||
| tuba | ||
| wzbogacany |
Indeks : 510071
Tranzystor; unipolarny; STP6NK60ZFP; N-MOSFET; 6A; 600V; 40W; 1Ohm; TO220; przewlekany (THT); izolowany; ST Microelectronics; RoHS
Indeks : 510275
FQP4N90C ON SEMICONDUCTOR Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 2,3A; 140W; TO220AB
Indeks : 510221
PSMN017-60YS.115 NEXPERIA Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 44A; 74W; SOT669
Indeks : 510314
Tranzystor; IGBT Kanał N; FGH60N60SMD; 120A; 600V; 600W; TO247; przewlekany (THT); ON Semiconductor; RoHS Dane szczegółowe Nazwa Tranzystor Typ tranzystora IGBT Kanał N Symbol FGH60N60SMD Prąd kolektora 120A Napięcie kolektor-emiter 600V Moc 600W Obudowa TO247 Właściwości półprzewodników nie dotyczy Montaż przewlekany (THT)...
Indeks : 510051
Tranzystor; bipolarny; MJE13009 KSE13009H1TU; NPN; 12A; 400V; 100W; 4MHz; TO220; przewlekany (THT); Fairchild Semiconductor; RoHS
Indeks : BC550B
Nazwa Tranzystor Typ tranzystora bipolarny Symbol BC550B Kierunek przewodnictwa NPN Prąd kolektora 0,1A Napięcie kolektor-emiter
Indeks : 510117
S8050LT1 Tranzystor SOT-23 (npn) 1.2V 0.5A 150MHz
Indeks : 510118
TCM809LENB713 MICROCHIP TECHNOLOGY Układ nadzorujący; monitor zerowania zasilania (PoR); 4,50 V
Indeks : 2SC3855
Typ obudowy: TO-3P Producent / Marka: brak danych Polaryzacja: NPN Typ złącza: Przewlekany ROHS: tak Napięcie zasilania (Vcb): 200 V Napięcie (Vce): 140 V Napięcie pracy max: 140 V Moc: 100 W Max. prąd: 10 A Max. temperatura: 150 °C
Indeks : 2SD1555
2SD1555 Tranzystor TO-3P (npn) 600V 5A 3MHz
Indeks : 510360
Typ obudowy: TO-39 Producent / Marka: CDIL Polaryzacja: PNP Typ złącza: Przewlekany ROHS: tak Częstotliwość: 60 MHz Napięcie zasilania (Vcb): 90 V Napięcie (Vce): 65 V Napięcie pracy max: 65 V Moc: 7 W Max. prąd: 1 A Max. temperatura: 200 °C
