Tranzystor; unipolarny; IRLR3705Z; N-MOSFET; 89A; 55V; 130W; 8mOhm; DPAK (TO252); powierzchniowy (SMD); International Rectifier; RoHS
| Nazwa | Tranzystor |
| Typ tranzystora | unipolarny |
| Symbol | IRLR3705Z |
| Kierunek przewodnictwa | N-MOSFET |
| Prąd drenu | 89A |
| Napięcie dren-źródło | 55V |
| Moc | 130W |
| Rezystancja w stanie przewodzenia | 8mOhm |
| Obudowa | DPAK (TO252) |
| Montaż | powierzchniowy (SMD) |
| Właściwości półprzewodników | nie dotyczy |
| Producent | International Rectifier |
| Opakowanie | nieokreślone |
| Certyfikaty | RoHS |
Indeks : 510046
Typ obudowy: TO-126 Producent / Marka: TOSHIBA Polaryzacja: NPN Typ złącza: Przewlekany Częstotliwość: 220 MHz Napięcie zasilania (Vcb): 40 V Napięcie (Vce): 40 V Napięcie pracy max: 40 V Moc: 1,5 W Max. prąd: 2 A Max. temperatura: 150 °C
Indeks : IRL2203
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; logic level; 30V; 100A; 130W
Indeks : 2SD5703
Typ obudowy: TO-3P Producent / Marka: Fairchild Semiconductor Polaryzacja: NPN Typ złącza: Przewlekany ROHS: tak Napięcie zasilania (Vcb): 1,5 kV Napięcie (Vce): 800 V Napięcie pracy max: 800 V Moc: 70 W Max. prąd: 10 A Max. temperatura: 150 °C
Indeks : 510228
2SA1015 Tranzystor: bipolarny,PNP; 50V; 150mA; 400mW; TO92
Indeks : 2SB1560
Tranzystor 2SB1560 P DARL 10A 160V 100W. Komplementarny do 2SD2390
Indeks : 2SC2312
2SC2312 Tranzystor: bipolarny,NPN; 60V; 6A; 18,5W; TO220
Indeks : 510169
BDW84C Tranzystor TO-3P (pnp) 100V 15A 1MHz
Indeks : IXFK26N90
TRANZYSTOR MOSFET 26A 900V 250NS+DIODAOBUDOWA TO-264AA IXYS
Indeks : 510528
Tranzystor H20R1203 TO-247 20A 1200V IGBT Typ: tranzystor IGBT Napięcie VCE: 1200V Prąd max. Ic: 20A Temperatura pracy: -40..+175 °C Obudowa: TO247
Tranzystor; unipolarny; IRLR3705Z; N-MOSFET; 89A; 55V; 130W; 8mOhm; DPAK (TO252); powierzchniowy (SMD); International Rectifier; RoHS
