MP1482DS IC SOIC8
| Typ obudowy: | SOIC8 |
| Producent: | MPS |
| Typ złącza: | SMD |
| ROHS: | tak |
Indeks : 510361
FQPF5N60C. MOSFET mocy, Kanał typu N, 600 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220F, przewlekany
Indeks : 510028
Tranzystor BUT11AF
Indeks : 510379
Tranzystor; bipolarny; BF494; NPN; 30mA; 20V; 300W; 260MHz; TO92; przewlekany (THT); Philips; na taśmie; RoHS Dane szczegółowe Nazwa Tranzystor Typ tranzystora bipolarny Symbol BF494 Kierunek przewodnictwa NPN Prąd kolektora 30mA Napięcie kolektor-emiter 20V Moc 300W Częstotliwość 260MHz Obudowa TO92 Właściwości półprzewodników...
Indeks : IXFX26N90
IXFX26N90 tranzystor N-MOS 26A, 900V IXYS
Indeks : 510071
Tranzystor; unipolarny; STP6NK60ZFP; N-MOSFET; 6A; 600V; 40W; 1Ohm; TO220; przewlekany (THT); izolowany; ST Microelectronics; RoHS
Indeks : 510194
Tranzystor; unipolarny; IRFP3206PBF; N-MOSFET; 200A; 60V; 280W; 2,4mOhm; TO247AC; przewlekany (THT); HEXFET; izolowany; International Rectifier; RoHS
Indeks : HUF75345
Tranzystor; unipolarny; HUF75345P3; N-MOSFET; 75A; 55V; 94W; 8mOhm; TO220; przewlekany (THT); On Semiconductor (Fairchild); RoHS
Indeks : TT2062
Typ obudowy: TO-3PML Producent / Marka: SANYO Polaryzacja: NPN Typ złącza: Przewlekany Napięcie zasilania (Vcb): 1,5 kV Napięcie (Vce): 800 V Napięcie pracy max: 800 V Moc: 85 W Max. prąd: 18 A Max. temperatura: 150 °C
Indeks : 210211
Tranzystor; darlington; bipolarny; BD650; PNP; 8A; 100V; 62,5W; 7MHz; TO220; przewlekany (THT); CYD; RoHS Dane szczegółowe Nazwa Tranzystor Typ tranzystora bipolarny; darlington Symbol BD650 Kierunek przewodnictwa PNP Prąd kolektora 8A Napięcie kolektor-emiter 100V Moc 62,5W Częstotliwość 7MHz...
Indeks : 510072
Tranzystor; bipolarny; BD250B; PNP; 25A; 80V; 125W; 3MHz; TO218; przewlekany
Indeks : 2SC2312
2SC2312 Tranzystor: bipolarny,NPN; 60V; 6A; 18,5W; TO220
MP1482DS IC SOIC8
