Tranzystor BD250B pnp 80V 25A 125W TO218 / 5078 rs

Indeks : 2SB892

Tranzystor 2SB892 pnp 60V 2A 1W TO92

Typ obudowy: TO-92 Producent / Marka: SANYO Polaryzacja: PNP Typ złącza: Przewlekany ROHS: tak     Częstotliwość: 150 MHz Napięcie zasilania (Vcb): 60 V Napięcie (Vce): 50 V Napięcie pracy max: 50 V Typ napięcia: -     Moc: 1 W Max. prąd: 2 A Max. temperatura: 150 °C

Indeks : MJ2955

Tranzystor MJ2955-BDX18 100V 15A 115W obudowa TO-3

Indeks : 510182

Tranzystor BC618 npn 55V 0.5A 0,625W TO92

BC618 Tranzystor TO-92 (npn) 55V 0.5A 155MHz

Indeks : 2SC2837

Tranzystor 2SC2837 npn 150V 10A 100W TO-3P

Typ obudowy: TO-3P Producent / Marka: Inchange Semiconductor Polaryzacja: NPN Typ złącza: Przewlekany ROHS: tak     Częstotliwość: 70 MHz Napięcie zasilania (Vcb): 150 V Napięcie (Vce): 150 V Napięcie pracy max: 150 V Moc: 100 W     Max. prąd: 10 A Max. temperatura: 150 °C

Indeks : 510093

Tranzystor BC307 pnp 50V 0,1A 0,3W 100MHz obudowa TO92

Tranzystor; bipolarny; BC307; PNP; 0,1A; 50V; 300mW; 100MHz; TO92; przewlekany (THT); LGE; luzem; RoHS

Indeks : 510050

Tranzystor SPP20N60C3 N-MOSFET 650V 20,7A 200W

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20,7A; 208W; TO220AB Producent INFINEON TECHNOLOGIES Typ tranzystora N-MOSFET Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło 650V Prąd drenu 20.7A Moc 208W Obudowa TO220AB Napięcie bramka-źródło ±20V Montaż THT Technologia CoolMOS™ Dodatkowe informacje Masa brutto:...

Indeks : 510320

Tranzystor BF199 npn 40V 0,025A 0,35W w.cz. 550Mhz obudowa TO92

Nazwa Tranzystor Typ tranzystora bipolarny Symbol BF199 Kierunek przewodnictwa NPN Prąd kolektora 25mA Napięcie kolektor-emiter

Indeks : BUH515 D

TRANZYSTOR BUH515D

Indeks : 2SD2560

Tranzystor 2SD2560 N DARL 15A 150V 130W

Tranzystor 2SD2560 N DARL 15A 150V 130W. Komplementarny do niego jest 2SB1647

Indeks : 510245

Tranzystor BC817 smd NPN 50V 500mA 600mW SOT23

Tranzystor; bipolarny; BC817-40; NPN; 0,5A; 50V; 250mW; 100MHz; SOT23; powierzchniowy (SMD); RoHS

Indeks : 510039

Tranzystor IRF830 N-MOSFET 4,5A-500V 75W TO220

Tranzystor; unipolarny; IRF830; N-MOSFET; 4,5A; 500V; 75W; 1,5Ohm; TO220; przewlekany (THT); Vishay; RoHS

Indeks : 510193

Tranzystor MJ15023 pnp 200V 16A 250W TO3

Tranzystor; bipolarny; MJ15023; PNP; 16A; 200V; 250W; 4MHz; TO3; przewlekany (THT); RoHS

Indeks : 2SA1015

Tranzystor 2SA1015 50V 0,15A 0,4W obudowa TO-92

Indeks : 2SD2499

Tranzystor 2SD2499 npn 1500V 6A TO247 izolowany

Indeks : 510257

Tranzystor 2SJ6810 npn 1500V 10A 60W TOP3F izolowany

Tranzystor J6810 npn 1500V 10A 60W TOP3F izolowany

Indeks : 510528

Tranzystor H20R1203 IGBT 1200V 20A TO247

Tranzystor H20R1203 TO-247 20A 1200V IGBT Typ: tranzystor IGBT Napięcie VCE: 1200V Prąd max. Ic: 20A Temperatura pracy: -40..+175 °C Obudowa: TO247

Indeks : 2SC5149

Tranzystor 2SC5149 npn 600V 8A 50W TO247 izolowany

Tranzystor C5149 / 2SC5149

Indeks : 510032

Tranzystor SPW16N50C3 N-MOSFET 560V 16A 160W TO247

Tranzystor SPW16N50C3 N-kanał 560V 16A 160W TO-247

Indeks : 510316

Tranzystor MPSA44 npn 400V 0,3A 0,62W TO92

Tranzystor; bipolarny; MPSA44; NPN; 0,3A; 400V; 620mW; 20MHz; TO92; przewlekany (THT); CDIL Semiconductors; luzem; RoHS

Indeks : 510314

Tranzystor FGH60N60SMD IGBT 600V 120A 600W TO-247 / 35750

Tranzystor; IGBT Kanał N; FGH60N60SMD; 120A; 600V; 600W; TO247; przewlekany (THT); ON Semiconductor; RoHS Dane szczegółowe  Nazwa Tranzystor Typ tranzystora IGBT Kanał N Symbol FGH60N60SMD Prąd kolektora 120A Napięcie kolektor-emiter 600V Moc 600W Obudowa TO247 Właściwości półprzewodników nie dotyczy Montaż przewlekany (THT)...