Tranzystor J6920-FJAF6920 20A 1700V 150ns TO-3PF

Indeks : 510061

Tranzystor IRF9530 P-MOSFET 100V 14A 79W TO220

Tranzystor; unipolarny; IRF9530N; P-MOSFET; 14A; 100V; 79W; 0,2Ohm; TO220AB; przewlekany (THT); HEXFET; International Rectifier; RoHS

Indeks : MJ15004

TRANZYSTOR MJ15004

Indeks : 510145

Tranzystor BF240 npn 40V 0,025A 0,3W 150Mhz TO92

TR BF240;CDIL;TO92;tranzystor; NPN;40V;25mA;250mW;380MHz;

Indeks : 510238

Tranzystor IRL540N N-MOSFET 100V 36A 140W obudowa TO220

Tranzystor; unipolarny; IRL540N; N-MOSFET; 36A; 100V; 140W; 44mOhm; TO220; przewlekany (THT); International Rectifier; RoHS

Indeks : 510218

Tranzystor BU2520DX npn 1500V 10A 45W TO247 izolowany

Tranzystor BU2520DX TO247 izolowany

Indeks : 2N2907

Tranzystor 2N2907A pnp 60V 0,6A 0,4W obudowa TO92

Indeks : BU2508AW

Tranzystor BU2508AW npn 1500V 8A 125W TO-247 nieizolowany

BU2508AW npn 1500V 8A 125W TO-247 nieizolowany

Indeks : GT906

Tranzystor GT906A pnp germanowy prod. ZSRR oryginał

Tranzystor mocy GT 906 A. Produkcja zsrr. Stosowany był w stopniu odchylania telewizora ELEKTRONIKA 100. Tranzystor pnp germanowy. Nie używany.

Indeks : 510263

Tranzystor TIP33C npn 100V 10A 80W obudowa TO247

Tranzystor. bipolarny. TIP33C. NPN. 10A. 100V. 80W. 3MHz. TO247. przewlekany (THT). ST Microelectronics. RoHS

Indeks : 510299

Tranzystor FQPF8N60C N-MOSFET 800V 6,2A 30W TO220F

Typ obudowy: TO-220F Producent / Marka: Fairchild Semiconductor Polaryzacja: N-kanał Typ złącza: Przewlekany Napięcie pracy max: 600 V     Moc: 48 W Max. prąd: 6,26 A Max. temperatura: 150 °C

Indeks : 510133

Tranzystor IRF840 N-mosfet 500V 8A 125W TO-220

Tranzystor; unipolarny; IRF840; N-MOSFET; 8A; 500V; 125W; 0,85Ohm; TO220; przewlekany (THT)

Indeks : BUH517 D

Tranzystor BUH517D npn 1700V 8A 60W

Indeks : 2SD1413

Tranzystor 2SD1413 Darlington npn 60V 3A 20W TO220FP

Indeks : IRFB4610

Tranzystor IRFB4610PBF N-MOSFET 100V 73A 190W TO220AB

Nazwa: Tranzystor Symbol: IRFB4610PBF Kierunek przewodnictwa: N-MOSFET Typ tranzystora: unipolarny Prąd drenu: 73A Moc: 190W Napięcie dren-źródło: 100V Rezystancja w stanie przewodzenia: 14mOhm Obudowa: TO220 Montaż: THT przewlekany Właściwości półprzewodników: HEXFET Producent: INFINEON Certyfikaty: RoHS

Indeks : 510110

Tranzystor IRF740 N-MOSFET 400V 10A 400W obudowa TO220

Tranzystor; unipolarny; IRF740; N-MOSFET; 10A; 400V; 400W; 0,55Ohm; TO220; przewlekany (THT); International Rectifier; RoHS

Indeks : HUF75343 P3

Tranzystor HUF75343P3 N-MOSFET 55V 270W 75A TO220

Typ obudowy: TO-220 Producent: Fairchild Semiconductor Polaryzacja: N-kanał Typ złącza: Przewlekany Napięcie pracy max: 55 V     Moc: 270 W Max. prąd: 75 A Max. temperatura: 175 °C

Indeks : BD442

Tranzystor BD442 pnp 80V 4A 36W TO126

Tranzystor: PNP; bipolarny; 80V; 4A; 36W; TO126

Indeks : 510117

Tranzystor S8050LT1 npn 1,2V 0,5A smd SOT23

S8050LT1 Tranzystor SOT-23 (npn) 1.2V 0.5A 150MHz

Indeks : 510200

Tranzystor STW20NK50Z N-MOSFET 500V 17A 190W TO247

Tranzystor; unipolarny; STW20NK50; N-MOSFET; 17A; 500V; 190W; TO247; przewlekany (THT); ST Microelectronics; RoHS

Indeks : 510179

Tranzystor BC237 NPN 50V 0,1A 0,3W obudowa TO92

Tranzystor; bipolarny; BC237; NPN; 0,1A; 50V; 300mW; 150MHz; TO92; Raster 1,27mm; przewlekany (THT); LGE; luzem; RoHS