Tranzystor; bipolarny; MPSA92; PNP; 0,5A; 300V; 620mW; 50MHz; TO92; przewlekany (THT); LGE; luzem; RoHS
| Nazwa | Tranzystor |
| Typ tranzystora | bipolarny |
| Symbol | MPSA92 |
| Kierunek przewodnictwa | PNP |
| Prąd kolektora | 0,5A |
| Napięcie kolektor-emiter | 300V |
| Moc | 620mW |
| Częstotliwość | 50MHz |
| Obudowa | TO92 |
| Właściwości półprzewodników | nie dotyczy |
| Montaż | przewlekany (THT) |
| Producent | LGE |
| Opakowanie | luzem |
| Certyfikaty | RoHS |
Indeks : HUF75343 P3
Typ obudowy: TO-220 Producent: Fairchild Semiconductor Polaryzacja: N-kanał Typ złącza: Przewlekany Napięcie pracy max: 55 V Moc: 270 W Max. prąd: 75 A Max. temperatura: 175 °C
Indeks : 510308
IRGP4640 INFINEON TECHNOLOGIES Tranzystor: IGBT; 600V; 65A; 250W; TO247-3
Indeks : 510298
Typ obudowy: TO-264 Producent / Marka: TOSHIBA Polaryzacja: NPN Typ złącza: Przewlekany ROHS: tak Napięcie zasilania (Vcb): 1,7 kV Napięcie (Vce): 600 V Napięcie pracy max: 600 V Moc: 200 W Max. prąd: 18 A Max. temperatura: 150 °C
Indeks : 510085
Tranzystor; unipolarny; STP8NK80ZFP; N-MOSFET; 6,2A; 800V; 30W; 1,5Ohm; TO220; przewlekany (THT); izolowany; ST Microelectronics; RoHS
Indeks : 2SB1560
Tranzystor 2SB1560 P DARL 10A 160V 100W. Komplementarny do 2SD2390
Indeks : 510375
Tranzystor; unipolarny; IRFP32N50KPBF; N-MOSFET; 32A; 500V; 460W; 160mOhm; TO247; przewlekany (THT); RoHS
Indeks : 2SB1647
Tranzystor 2SB1647 P DARL 15A 150W 130V .Komplementarny do 2SD2560.
Indeks : 510266
Tranzystor; bipolarny; TIP31C; NPN; 3A; 115V; 40W; TO220; przewlekany (THT); ST Microelectronics; RoHS
Indeks : 510045
Tranzystor; bipolarny; 2N3772; NPN; 20A; 100V; 150W; 200MHz; TO3; przewlekany (THT); ON Semiconductor; RoHS
Indeks : 510201
Tranzystor; bipolarny; 2N6488; NPN; 15A; 80V; 75W; 5MHz; TO220AB; przewlekany (THT); CYD; RoHS
Indeks : IRFSL11N50
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; logic level; 500V; 11A; 190W
Indeks : 510348
Dane techniczne Atrybut Parametr Typ kanału P Maksymalny ciągły prąd drenu 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło 60 V Typ opakowania TO-220AB Typ montażu Otwór przezierny Liczba styków 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło 26 mΩ Tryb kanałowy Rozszerzenie Minimalne napięcie progowe VGS 2V Maksymalna strata mocy 160 W...
Indeks : 510275
FQP4N90C ON SEMICONDUCTOR Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 2,3A; 140W; TO220AB
Indeks : 510242
Tranzystor; bipolarny; darlington; TIP142; NPN; 10A; 100V; 125W; TO247; przewlekany (THT); ST Microelectronics; RoHS
Indeks : TIP120G
TIP120G ON SEMICONDUCTOR Tranzystor: NPN; bipolarny; Darlington; 60V; 5A; 2W; TO220AB
Tranzystor; bipolarny; MPSA92; PNP; 0,5A; 300V; 620mW; 50MHz; TO92; przewlekany (THT); LGE; luzem; RoHS
