- Obecnie brak na stanie
Indeks : 510032
Tranzystor SPW16N50C3 N-MOSFET 560V 16A 160W TO247
Tranzystor SPW16N50C3 N-kanał 560V 16A 160W TO-247
Indeks : 510032
Tranzystor SPW16N50C3 N-kanał 560V 16A 160W TO-247
Indeks : 2SC2837
Typ obudowy: TO-3P Producent / Marka: Inchange Semiconductor Polaryzacja: NPN Typ złącza: Przewlekany ROHS: tak Częstotliwość: 70 MHz Napięcie zasilania (Vcb): 150 V Napięcie (Vce): 150 V Napięcie pracy max: 150 V Moc: 100 W Max. prąd: 10 A Max. temperatura: 150 °C
Indeks : 510247
Tranzystor; bipolarny; BC557B; PNP; 0,1A; 50V; 500mW; 150MHz; TO92; przewlekany (THT); Diotec; luzem; RoHS
Indeks : 510225
Tranzystor; unipolarny; IRFZ48N; N-MOSFET; 64A; 55V; 130W; 14mOhm; TO220AB; przewlekany (THT); HEXFET; International Rectifier; RoHS
Indeks : TT2062
Typ obudowy: TO-3PML Producent / Marka: SANYO Polaryzacja: NPN Typ złącza: Przewlekany Napięcie zasilania (Vcb): 1,5 kV Napięcie (Vce): 800 V Napięcie pracy max: 800 V Moc: 85 W Max. prąd: 18 A Max. temperatura: 150 °C
Indeks : 510093
Tranzystor; bipolarny; BC307; PNP; 0,1A; 50V; 300mW; 100MHz; TO92; przewlekany (THT); LGE; luzem; RoHS
Indeks : BD434
Typ obudowy: TO-126 Producent / Marka: Inchange Semiconductor Polaryzacja: PNP Typ złącza: Przewlekany ROHS: tak Częstotliwość: 3 MHz Napięcie zasilania (Vcb): 22 V Napięcie (Vce): 22 V Napięcie pracy max: 22 V Typ napięcia: - Moc: 36 W Max. prąd: 4 A Max. temperatura: 150 °C
Indeks : 510132
Tranzystor; unipolarny; BUZ10; V-MOSFET; 50V; 23A, 75W; 0,04Ohm; TO220; przewlekany
Indeks : 510301
Typ obudowy: TO-92 Polaryzacja: NPN Typ złącza: Przewlekany Częstotliwość: 100 MHz Napięcie zasilania (Vcb): 120 V Napięcie (Vce): 120 V Napięcie pracy max: 120 V Moc: 0,3 W Max. prąd: 100 mA Max. temperatura: 125 °C
Indeks : 510295
Tranzystor; IGBT Kanał N; IRGP4068D; 48A; 600V; 330W; TO247AC; przewlekany (THT); International Rectifier; RoHS
Indeks : 510104
Tranzystor; unipolarny; IRLB3034; N-MOSFET; 343A; 40V; 375W; 1,7mOhm; TO220; przewlekany (THT); International Rectifier; RoHS
Indeks : BDX53C
Tranzystor; bipolarny; darlington; BDX53C; NPN; 8A; 100V; 60W; TO220; przewlekany (THT); ST Microelectronics; RoHS
Indeks : 510211
FDA50N50 ON SEMICONDUCTOR Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30,8A; 625W; TO3PN