| NPN | ||
| bipolarny | ||
| 115V | ||
| 2A | ||
| 30W | ||
| TO220 | ||
| THT | ||
| 3MHz |
Indeks : 2SB1375
Typ obudowy: TO-220F, Producent: TOSHIBA, Polaryzacja: PNP, Typ złącza: Przewlekany, Częstotliwość: 9MHz, Napięcie zasilania (Vcb): 60V, Napięcie (Vce): 60V, Napięcie pracy max: 60V, Moc:
Indeks : 510332
Tranzystor; bipolarny; BUX48A; NPN; 15A; 450V; 175W; TO3; przewlekany (THT); Inchange Semiconductor; RoHS
Indeks : BU801
BU801 Tranzystor: bipolarny,Darlington,NPN; 600V; 3A; 40W; TO126
Indeks : 2SK212
Tranzystor 2SK212 N-kanał 20V 0.02A 0,2W DPAK
Indeks : 510119
Tranzystor; unipolarny; IRF5210; P-MOSFET; 40A; 100V; 200W; 60mOhm; TO220; przewlekany (THT); International Rectifier; RoHS
Indeks : IRFP150
Tranzystor; unipolarny; IRFP150N; N-MOSFET; 41A; 100V; 160W; 36mOhm; TO247; przewlekany (THT); HEXFET; International Rectifier; RoHS
Indeks : 510321
Tranzystor; unipolarny; IRFBE30; N-MOSFET; 4,1A; 800V; 50W; 3Ohm; TO220; przewlekany (THT); RoHS
Indeks : BU2508AW
BU2508AW npn 1500V 8A 125W TO-247 nieizolowany
Indeks : 510250
Tranzystor; bipolarny; BC327-40; PNP; 0,8A; 50V; 620mW; 100MHz; TO92; Raster 2,54mm; przewlekany (THT); CDIL Semiconductors; RoHS
Indeks : 130012
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -55V; -3,4A; 2W; SO8
Indeks : 510248
Tranzystor; bipolarny; darlington; TIP41C; NPN; 6A; 70V; 65W; 3MHz; TO220; przewlekany (THT); ST Microelectronics; RoHS
Indeks : 510268
Typ obudowy: TO-92 Polaryzacja: PNP Typ złącza: Przewlekany Częstotliwość: 80 MHz Napięcie zasilania (Vcb): 50 V Napięcie (Vce): 50 V Napięcie pracy max: 50 V Moc: 0,4 W Max. prąd: 150 mA Max. temperatura: 125 °C
Indeks : 510063
Tranzystor; unipolarny; IRLR2905Z; N-MOSFET; 42A; 55V; 110W; 13,5mOhm; DPAK (TO252); powierzchniowy (SMD); International Rectifier; RoHS
