Indeks : IRFP140
Tranzystor IRFP140 N-MOSFET 33A 100V 140W TO247
Tranzystor; unipolarny; IRFP140N; N-MOSFET; 33A; 100V; 140W; 52mOhm; TO247AC; przewlekany (THT); HEXFET; International Rectifier; RoHS
PNP | ||
bipolarny | ||
Darlington | ||
80V | ||
4A | ||
40W | ||
SOT32 | ||
750 | ||
THT |
Indeks : IRFP140
Tranzystor; unipolarny; IRFP140N; N-MOSFET; 33A; 100V; 140W; 52mOhm; TO247AC; przewlekany (THT); HEXFET; International Rectifier; RoHS
Indeks : BUK444-500
Typ: BUK444-500B Obudowa: SOT-186 Polaryzacja: n-channel Nazwa produktu: Tranzystor
Indeks : 510167
Tranzystor; unipolarny; BF245C; N-FET; 15mA; 30V; 350mW; TO92; przewlekany (THT); Fairchild Semiconductor; RoHS Nazwa Tranzystor Typ tranzystora unipolarny Symbol BF245 Kierunek przewodnictwa N-FET Prąd drenu 15mA Napięcie dren-źródło 30V Moc 350mW Obudowa TO92 Montaż przewlekany (THT) Producent Fairchild Semiconductor Certyfikaty...
Indeks : BU407
Tranzystor; bipolarny; BU407; NPN; 7A; 150V; 60W; 10MHz; TO220; przewlekany (THT)
Indeks : GT35J321
Obudowa: TO-3P Napięcie: 600 V Moc: 75 W Prąd: 37 A Częstotliwość: 4 MHz Polaryzacja: n-channel Technologia wykonania: IGBT Numer oryginalny: GT35J321 Nazwa produktu: Tranzystor
Indeks : 510195
Tranzystor; unipolarny; BS170; N-MOSFET; 0,5A; 60V; 350mW; 3,5Ohm; TO92; przewlekany (THT); RoHS
Indeks : 2SB1375
Typ obudowy: TO-220F, Producent: TOSHIBA, Polaryzacja: PNP, Typ złącza: Przewlekany, Częstotliwość: 9MHz, Napięcie zasilania (Vcb): 60V, Napięcie (Vce): 60V, Napięcie pracy max: 60V, Moc:
Indeks : RFP50N06
Tranzystor; unipolarny; RFP50N06; N-MOSFET; 50A; 60V; 131W; 22mOhm; TO220; przewlekany (THT); Fairchild Semiconductor; RoHS
Indeks : 510371
Tranzystor; IGBT Kanał N; IRGP4063D; 96A; 600V; 330W; TO247AC; przewlekany (THT); International Rectifier; RoHS
Indeks : 510236
Tranzystor; bipolarny; 2N3906; NPN; 0,2A; 40V; 625mW; 200MHz; TO92; przewlekany (THT); Diotec; RoHS