Tranzystor GT35J321 IGBT 600V 37A 75W TOP3F

Indeks : GP10NC60KD

Tranzystor STGP10NC60KD IGBT 600V/10A obudowa TO220

STGP10NC60KD  Pojedynczy tranzystor IGBT, 20 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-220, 3 piny/-ów

Indeks : 510144

Tranzystor BD137 npn 80V 1,5A 12,5W obudowa TO126

Tranzystor; bipolarny; BD137-16; NPN; 1,5A; 80V; 12,5W; 50MHz; TO126; przewlekany (THT); CDIL Semiconductors; RoHS

Indeks : MJ802

Tranzystor MJ802 npn 90V 30A 200W TO-3

Tranzystor: NPN; bipolarny; 90V; 30A; 200W; TO3

Indeks : 510189

Tranzystor IRG4BC30W N-IGBT 600V 23A 100W TO220

Tranzystor; IGBT Kanał N; IRG4BC30W; 23A; 600V; 100W; TO220; przewlekany (THT); International Rectifier; RoHS

Indeks : 510016

Tranzystor BC847C smd SOT23 NPN 50V 100mA 250mW

Tranzystor; bipolarny; BC847C; NPN; 100mA; 50V; 220mW; 100MHz; SOT23; powierzchniowy (SMD); NXP Semiconductors; na taśmie; RoHS  Dane szczegółowe  Nazwa Tranzystor Typ tranzystora bipolarny Symbol BC847C Kierunek przewodnictwa NPN Prąd kolektora 100mA Napięcie kolektor-emiter 50V Moc 220mW Częstotliwość 100MHz Obudowa SOT23...

Indeks : BU2520AW

Tranzystor BU2520AW npn 1500V 10A 125W

Typ obudowy: TO-247 Producent / Marka: PHILIPS / NXP Polaryzacja: NPN Typ złącza: Przewlekany Napięcie zasilania (Vcb): 1,5 kV     Napięcie (Vce): 800 V Napięcie pracy max: 800 V Moc: 125 W Max. prąd: 10 A Max. temperatura: 150 °C

Indeks : 510247

Tranzystor BC557B pnp 50V 0,1A 0,5W obudowa TO92

Tranzystor; bipolarny; BC557B; PNP; 0,1A; 50V; 500mW; 150MHz; TO92; przewlekany (THT); Diotec; luzem; RoHS

Indeks : BF272A

Tranzystor BF272A pnp UHF-V-R 859MHz

Indeks : 510121

Tranzystor IRF9Z24N P-MOSFET 12A 55V 45W TO220

Tranzystor; unipolarny; IRF9Z24N; P-MOSFET; 12A; 55V; 45W; 175mOhm; TO220AB; przewlekany (THT); HEXFET; International Rectifier; RoHS

Indeks : 510310

Tranzystor BC560B pnp 30V 0,1A 0,5W obudowa TO92

Tranzystor; bipolarny; BC560B; PNP; 0,1A; 30V; 500mW; 150MHz; TO92; przewlekany (THT); CDIL Semiconductors; luzem; RoHS

Indeks : 2SJ307

Tranzystor 2SJ307 N-MOSFET 250V 6A 30W TO220ML

- Type of Transistor: MOSFET - Type of Control Channel: P -Channel - Maximum Power Dissipation Pd: 30 W - Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 250 V - Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V - Maximum Drain Current |Id|: 6 A - Maximum Junction Temperature Tj: 150 °C - Rise Time tr: 37 nS - Drain-Source Capacitance Cd: 235 pF - Maximum Drain-Source On-State...

Indeks : 2N7000

Tranzystor 2N7000 N-MOSFET 60V 0,3A 0,38W TO92

Indeks : 510241

Tranzystor MJE13003 npn 700V 1,5A 40W TO-126

Tranzystor; bipolarny; MJE13003; NPN; 1,5A; 400V; 40W; 5MHz; TO126; przewlekany (THT); ST Microelectronics; RoHS

Indeks : BC328

Tranzystor BC328 PNP 30V 0,5A 0,8W obudowa TO92

Tranzystor średniej mocy PNP, Ptot- 0,8 W, Vceo- 30 V, Ic- 0,5 A, hfe typ- 160/400, ftyp- 100 MHz, obudowa TO92

Indeks : 510230

Tranzystor MPSA92 pnp 300V 0,5A 0,62W TO92

Tranzystor; bipolarny; MPSA92; PNP; 0,5A; 300V; 620mW; 50MHz; TO92; przewlekany (THT); LGE; luzem; RoHS

Indeks : 510227

Tranzystor 2SC9018 npn 40V 0,25A 0,5W 550MHz TO92 / S9018

Tranzystor 2SC9018 npn 40V 250mA 500mW 550MHz TO92 / S9018

Indeks : 510361

Tranzystor FQPF5N60C (5N60) N-mosfet 600V 4,5A izolowany TO-220F

FQPF5N60C. MOSFET mocy, Kanał typu N, 600 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220F, przewlekany

Indeks : 510259

Tranzystor ZTX651 npn 60V 2A 1,5W TO-92

Indeks : 510260

Tranzystor SPP11N60C3 650V 11A 125W TO220

Typ obudowy: TO-220 Producent / Marka: Infineon / Siemens Polaryzacja: N-kanał Typ złącza: Przewlekany ROHS: tak     Napięcie pracy max: 650 V Moc: 125 W Max. prąd: 11 A Max. temperatura: 150 °C

Indeks : 510341

Tranzystor IRG4PC50W N-IGBT 600V 55A 200W obudowa TO247

Tranzystor; IGBT Kanał N; IRG4PC50W; 55A; 600V; 200W; TO247; przewlekany (THT); International Rectifier; RoHS